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只要大家坚持下去，挺过这次危机。以后的前途会非常光明。”
苏小婉说完，虚拟光幕上开始播放这个半导体储存芯片的性能。
这种半导体储存芯片采用PCM相变内存，性能是普通存储芯片的100万倍。
它由研发科技材料与化学实验室研发，它是一种新的二维非易失性存储芯片。
科研人员们采用了半导体结构，研发的存储芯片性能优秀，是传统二维存储芯片的100万倍，而且性能更长，刷新时间是内存的156倍，也就是说具备更强的耐用性。
他们研发的存储芯片使用的不是传统芯片的场效应管原理，因为后者在物理尺寸逐渐缩小的情况下会遇到量子效应干扰。
所以郭建濯带领的科研团队使用的是半浮栅极晶体管技术，他们据此展示一种具有范德·瓦尔斯异质结构的近非易失性半浮栅极结构，这种新型的存储芯片具备优异的性能及耐用性。
具体来说，与DRAM内存相比，它的数据刷新时间是前者的156倍，也就是能保存更长时间的数据，同时具备纳秒级的写入速度，而NAND闪存的延迟一般在毫秒级，性能远远超出。
它与传统二维材料相比，其速度快了100万倍。所以这种新型内存有望缩小传统内存与闪存之间的差距。
这是在储存芯片领域极大的进步，特别是这种采用新技术的半导体储存芯片使用他们公司生产的光刻机，加工技术一点也不难。
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